Projectes vigents

  1. MODELADO ATOMÍSTICO DE LA IRRADIACIÓN DE ALTA ENERGÍA EN SEMICONDUCTORES

    PEDRO LOPEZ MARTIN, MARIA LOURDES PELAZ MONTES

  2. CONTRATO INVESTIGO MINISTERIO: DE LAS PROPIEDADES DE DEFECTOS EN DIAMANTE Y EN EL MODELADO ATOMÍSTICO DEL PROCESO DE IMPLANTACIÓN EN DIAMANTE

    PEDRO LOPEZ MARTIN

Projectes finalitzats

2022

  1. CONTRATO DE GARANTIA JUVENIL JCYL TIPO B (TITULADO) DE FERNANDO MANSO SAN ISIDRO: - El diseño de simulaciones por ordenador para el estudio de materiales y procesos de interés en Nanoelectrónica.- La implementación de nuevos modelos para describir fenómenos físicos y la adaptación de los códigos de simulación existentes. - La ejecución y monitorización de las simulaciones de forma local o en un servidor de cálculo.- El análisis de la información obtenida de las simulaciones, que en la mayoría de

    PEDRO LOPEZ MARTIN

2020

  1. MODELADO ATOMÍSTICO DE MECANISMOS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL DE SIGE

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

  2. ESTUDIO DE PROCESOS TECNOLÓGICOS AVANZADOS PARA LA FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS NANOMÉTRICOS MEDIANTE TÉCNICAS DE SIMULACIÓN PREDICTIVA

    LUIS ALBERTO MARQUES CUESTA

2019

  1. MODELADO ATOMÍSTICO DE LOS MECANISMOS DE LIBERACIÓN DE TENSIÓN PARA EL CRECIMIENTO DE NANOESTRUCTURAS EN SIGE

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2018

  1. INGENIERÍA DE DEFECTOS PARA EXPLORAR NUEVAS APLICACIONES EN SEMICONDUCTORES APOYADA EN LA SIMULACIÓN MULTIESCALA

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2017

  1. EXPLORACIÓN MEDIANTE MODELADO DE ESTRATEGIAS DE INGENIERÍA DE DEFECTOS EN ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2016

  1. ASESORAMIENTO PARA EL DESARROLLO DE DISPOSITIVOS TECNOLÓGICOS PARA CONGRESOS, EVENTOS Y MUSEOS.

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2015

  1. DE LOS DEFECTOS MICROSCÓPICOS INDUCIDOS POR RADIACIÓN A SUS EFECTOS MACROSCÓPICOS A TRAVÉS DE LA SIMULACIÓN MULTI-ESCALA

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2011

  1. MODELADO Y SIMULACIÓN MULTI-ESCALA DE PROCESOS DE FABRICACIÓN DE DISPOSITIVOS ELECTRÓNICOS NANOMÉTRICOS DE SILICIO

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2010

  1. SIMULACIÓN ATOMÍSTICA DE DEFECTOS EN GERMANIO: DE LAS PROPIEDADES DEL MATERIAL A LOS PROCESOS TECNOLÓGICOS

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2008

  1. MODELADO Y CARACTERIZACIÓN DE LOS PROCESOS DE FABRICACIÓN PARA FUTURAS GENERACIONES DE CIRCUITOS INTEGRADOS CMOS

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES

2007

  1. SIMULACIÓN ATOMÍSTICA DE LOS PROCESOS DE IMPLANTACIÓN Y RECOCIDO PARA LA FABRICACIÓN DE CIRCUITOS INTEGRADOS CON TECNOLOGÍA DE 45 NM.

    MARIA LOURDES PELAZ MONTES