GERMAN
DIAZ GONZALEZ
Investigador en el periodo 1989-2007
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Universitat de Barcelona
Barcelona, EspañaPublicaciones en colaboración con investigadores/as de Universitat de Barcelona (2)
2006
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Substrate influence on the high-temperature annealing behavior of GaN: Si vs. sapphire
Materials Research Society Symposium Proceedings
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The effect of substrate on high-temperature annealing of GaN epilayers: Si versus sapphire
Journal of Applied Physics, Vol. 100, Núm. 4