Energy Levels of Defects Created in Silicon Supersaturated with Transition Metals

  1. García, H.
  2. Castán, H.
  3. Dueñas, S.
  4. García-Hemme, E.
  5. García-Hernansaz, R.
  6. Montero, D.
  7. González-Díaz, G.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Any de publicació: 2018

Volum: 47

Número: 9

Pàgines: 4993-4997

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1007/S11664-018-6227-4 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
Font de les dades: Scopus