Energy Levels of Defects Created in Silicon Supersaturated with Transition Metals

  1. García, H.
  2. Castán, H.
  3. Dueñas, S.
  4. García-Hemme, E.
  5. García-Hernansaz, R.
  6. Montero, D.
  7. González-Díaz, G.
Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 47

Nummer: 9

Seiten: 4993-4997

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1007/S11664-018-6227-4 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
Datenquelle: Scopus