Electrical characterization of low nitrogen content plasma deposited and rapid thermal annealed Al/SiNx:H/InP metal-insulator-semiconductor structures

  1. Castán, H.
  2. Dueñas, S.
  3. Barbolla, J.
  4. Redondo, E.
  5. Mártil, I.
  6. González-Díaz, G.
Revista:
Japanese Journal of Applied Physics, Part 1: Regular Papers and Short Notes and Review Papers

ISSN: 0021-4922

Any de publicació: 2000

Volum: 39

Número: 11

Pàgines: 6212-6215

Tipus: Article

GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus