Interface quality study of ECR-deposited and rapid thermal annealed silicon nitride A1/SiNx:H/InP and A1/SiNx:H/ in0.53Ga0.47As structures by DLTS and conductance transient techniques

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  7. González-Díaz, G.
Zeitschrift:
Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Datum der Publikation: 2000

Ausgabe: 40

Nummer: 4-5

Seiten: 845-848

Art: Artikel

DOI: 10.1016/S0026-2714(99)00325-X GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus