Role of deep levels and interface states in the capacitance characteristics of all-sputtered CuInSe2/CdS solar cell heterojunctions

  1. Santamaria, J.
  2. Diaz, G.G.
  3. Iborra, E.
  4. Martil, I.
  5. Sanchez-Quesada, F.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 1989

Volum: 65

Número: 8

Pàgines: 3236-3241

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.342676 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus