Interface quality of Sc2O3 and Gd2O 3 films based metal-insulator-silicon structures using Al, Pt, and Ti gates: Effect of buffer layers and scavenging electrodes

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Revista:
Journal of Vacuum Science and Technology B:Nanotechnology and Microelectronics

ISSN: 2166-2754,  2166-2746

Año de publicación: 2013

Volumen: 31

Número: 1

Tipo: Artículo

DOI: 10.1116/1.4768678 GOOGLE SCHOLAR
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