Ion beam induced recrystallization of amorphous silicon: A molecular dynamics study

  1. Marqués, L.A.
  2. Caturla, M.-J.
  3. Díaz De La Rubia, T.
  4. Gilmer, G.H.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 1996

Ausgabe: 80

Nummer: 11

Seiten: 6160-6169

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.363690 GOOGLE SCHOLAR
Datenquelle: Scopus