Characterization of the damage induced in boron-implanted and RTA annealed silicon by the capacitance-voltage transient technique
- Duenas, S.
- Castan, E.
- Enriquez, L.
- Barbolla, J.
- Montserrat, J.
- Lora-Tamayo, E.
ISSN: 0268-1242
Ano de publicación: 1994
Volume: 9
Número: 9
Páxinas: 1637-1648
Tipo: Artigo