Ability of capacitance–voltage transient technique to study spatial distribution and electric field dependence of emission properties of deep levels in semiconductors

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, E.
  3. Quintanilla, L.
  4. Enríquez, L.
  5. Barbolla, J.
  6. Lora-Tamayo, E.
  7. Montserrat, J.
Revista:
Materials Science and Technology (United Kingdom)

ISSN: 1743-2847,  0267-0836

Any de publicació: 1995

Volum: 11

Número: 10

Pàgines: 1074-1078

Tipus: Article

DOI: 10.1179/MST.1995.11.10.1074 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus