Ability of capacitance–voltage transient technique to study spatial distribution and electric field dependence of emission properties of deep levels in semiconductors

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, E.
  3. Quintanilla, L.
  4. Enríquez, L.
  5. Barbolla, J.
  6. Lora-Tamayo, E.
  7. Montserrat, J.
Zeitschrift:
Materials Science and Technology (United Kingdom)

ISSN: 1743-2847,  0267-0836

Datum der Publikation: 1995

Ausgabe: 11

Nummer: 10

Seiten: 1074-1078

Art: Artikel

DOI: 10.1179/MST.1995.11.10.1074 GOOGLE SCHOLAR
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