Ion mass influence on transient enhanced diffusion and boron clustering in silicon: Deviation from the "+1" model

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1998

Volumen: 83

Número: 11

Páginas: 6182-6184

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.367489 GOOGLE SCHOLAR