Characterization of GaAs conformal layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates by microphotoluminescence cathodoluminescence and microRaman

  1. Martínez, O.
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  4. Jiménez, J.
  5. Gérard, B.
  6. Gil-Lafon, E.
Revista:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Año de publicación: 2000

Volumen: 210

Número: 1

Páginas: 198-202

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0022-0248(99)00678-8 GOOGLE SCHOLAR