Self-doping near the seed/layer interface in conformal GaAs layers grown on Si

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Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Año de publicación: 2001

Volumen: 79

Número: 9

Páginas: 1270-1272

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1399008 GOOGLE SCHOLAR
Fuente de los datos: Scopus