Selective doping of conformal GaAs layers grown by hydride vapour phase epitaxy on Si substrates studied by spatially resolved optical techniques

  1. Martinez, O.
  2. Avella, M.
  3. De La Puente, E.
  4. González, M.A.
  5. Jiménez, J.
  6. Gérard, B.
  7. Gil-Lafon, E.
Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2001

Volumen: 80

Número: 1-3

Páginas: 197-201

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/S0921-5107(00)00631-0 GOOGLE SCHOLAR
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