Correlation between internal electric fields, residual strain and optical transitions in GaN/AlN stacked quantum dots

  1. Martinez, O.
  2. Rossi, F.
  3. Grillo, V.
  4. Mazzoni, M.
  5. Armani, N.
  6. Salviati, G.
  7. Vinattieri, A.
  8. Grandjean, N.
  9. Damilano, B.
Actas:
Physica Status Solidi C: Conferences

ISSN: 1610-1634

Año de publicación: 2002

Páginas: 346-350

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1002/PSSC.200390059 GOOGLE SCHOLAR lock_openAcceso abierto editor