A physics based approach to ultra-shallow p+-junction formation at the 32 nm node

  1. Mokhberi, A.
  2. Pelaz, L.
  3. Aboy, M.
  4. Marques, L.
  5. Barbolla, J.
  6. Paton, E.
  7. McCoy, S.
  8. Ross, J.
  9. Elliott, K.
  10. Gelpey, J.
  11. Griffin, P.B.
  12. Plummer, J.D.
Actes:
Technical Digest - International Electron Devices Meeting

ISSN: 0163-1918

Any de publicació: 2002

Pàgines: 879-882

Tipus: Aportació congrés