Properties of AlGaAs layers grown on Si by the conformal method

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2002

Volumen: 91-92

Páginas: 91-95

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/S0921-5107(01)00980-1 GOOGLE SCHOLAR