Temperature dependence of the Raman shift in GaAs conformal layers grown by hydride vapor phase epitaxy

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2002

Volumen: 91

Número: 8

Páginas: 5045-5050

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.1462849 GOOGLE SCHOLAR
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