Effect of growth temperature and postmetallization annealing on the interface and dielectric quality of atomic layer deposited HfO2 on p and n silicon
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- García, H.
- Barbolla, J.
- Kukli, K.
- Aarik, J.
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2004
Ausgabe: 96
Nummer: 3
Seiten: 1365-1372
Art: Artikel