Compositional and optical uniformity of InGaN layers deposited on (0001) sapphire by metal-organic vapour phase epitaxy

  1. Bosi, M.
  2. Fornari, R.
  3. Scardova, S.
  4. Avella, M.
  5. Martínez, O.
  6. Jimenez, J.
Revista:
Semiconductor Science and Technology

ISSN: 0268-1242

Año de publicación: 2004

Volumen: 19

Número: 2

Páginas: 147-151

Tipo: Artículo

DOI: 10.1088/0268-1242/19/2/003 GOOGLE SCHOLAR
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