Physically based modeling of dislocation loops in ion implantation processing in silicon

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Revista:
Materials Science and Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology

ISSN: 0921-5107

Año de publicación: 2005

Volumen: 124-125

Número: SUPPL.

Páginas: 404-408

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1016/J.MSEB.2005.08.119 GOOGLE SCHOLAR
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