Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon

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Zeitschrift:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Datum der Publikation: 2006

Ausgabe: 99

Nummer: 5

Art: Artikel

DOI: 10.1063/1.2177383 GOOGLE SCHOLAR