Influence of single and double deposition temperatures on the interface quality of atomic layer deposited Al2O3 dielectric thin films on silicon
- Dueñas, S.
- Castán, H.
- García, H.
- De Castro, A.
- Bailón, L.
- Kukli, K.
- Aidla, A.
- Aarik, J.
- Mändar, H.
- Uustare, T.
- Lu, J.
- Hårsta, A.
Zeitschrift:
Journal of Applied Physics
ISSN: 0021-8979
Datum der Publikation: 2006
Ausgabe: 99
Nummer: 5
Art: Artikel