Origin of the fluctuations in the luminescence emission in InGaN quantum wells

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Revista:
Materials Science in Semiconductor Processing

ISSN: 1369-8001

Año de publicación: 2006

Volumen: 9

Número: 1-3

Páginas: 2-7

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MSSP.2006.01.066 GOOGLE SCHOLAR
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