Modeling and simulation of the influence of SOI structure on damage evolution and ultra-shallow junction formed by Ge preamorphization implants and solid phase epitaxial regrowth

  1. Mok, K.R.C.
  2. Colombeau, B.
  3. Jaraiz, M.
  4. Castrillo, P.
  5. Rubio, J.E.
  6. Pinacho, R.
  7. Srinivasan, M.P.
  8. Benistant, F.
  9. Martin-Bragado, I.
  10. Hamilton, J.J.
Actes:
Materials Research Society Symposium Proceedings

ISSN: 0272-9172

ISBN: 9781558998681

Any de publicació: 2006

Volum: 912

Pàgines: 99-104

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1557/PROC-0912-C03-04 GOOGLE SCHOLAR