Atomistic modeling and physical comprehension of the effects of implant dose rate on boron activation in pMOSFET S/D

  1. Singer, J.
  2. Salvetti, F.
  3. Kaeppelin, V.
  4. Wacquant, F.
  5. Cagnat, N.
  6. Jaraiz, M.
  7. Castrillo, P.
  8. Rubio, E.
  9. Poncet, A.
Actas:
ESSDERC 2007 - Proceedings of the 37th European Solid-State Device Research Conference

ISBN: 9781424411238

Año de publicación: 2007

Volumen: 2007

Páginas: 338-341

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1109/ESSDERC.2007.4430947 GOOGLE SCHOLAR

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Fuente de los datos: Scopus