Self-trapping in B-doped amorphous Si: Intrinsic origin of low acceptor efficiency

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Revista:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN: 1098-0121,  1550-235X

Año de publicación: 2010

Volumen: 81

Número: 3

Tipo: Artículo

DOI: 10.1103/PHYSREVB.81.033203 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
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