Physical modeling and implementation scheme of native defect diffusion and interdiffusion in SiGe heterostructures for atomistic process simulation
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2011
Volumen: 109
Número: 10
Tipo: Aportación congreso
ISSN: 0021-8979
Año de publicación: 2011
Volumen: 109
Número: 10
Tipo: Aportación congreso