Impurity incorporation in orientation patterned GaAs grown by low pressure HVPE

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Zeitschrift:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Datum der Publikation: 2012

Ausgabe: 352

Nummer: 1

Seiten: 258-261

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2011.11.003 GOOGLE SCHOLAR

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