Impurity incorporation in orientation patterned GaAs grown by low pressure HVPE

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Revue:
Journal of Crystal Growth

ISSN: 0022-0248

Année de publication: 2012

Volumen: 352

Número: 1

Pages: 258-261

Type: Communication dans un congrès

DOI: 10.1016/J.JCRYSGRO.2011.11.003 GOOGLE SCHOLAR

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