Raman scattering by the E 2h and A 1(LO) phonons of In xGa 1-xN epilayers (0.25 < x < 0.75) grown by molecular beam epitaxy

  1. Oliva, R.
  2. Ibáñez, J.
  3. Cuscó, R.
  4. Kudrawiec, R.
  5. Serafinczuk, J.
  6. Martnez, O.
  7. Jiménez, J.
  8. Henini, M.
  9. Boney, C.
  10. Bensaoula, A.
  11. Artús, L.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 2012

Volumen: 111

Número: 6

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.3693579 GOOGLE SCHOLAR