Epitaxial growth of (0001) oriented porous GaN layers by chemical vapour deposition

  1. Bilousov, O.V.
  2. Carvajal, J.J.
  3. Mena, J.
  4. Martínez, O.
  5. Jiménez, J.
  6. Geaney, H.
  7. Díaz, F.
  8. Aguiló, M.
  9. O'Dwyer, C.
Revista:
CrystEngComm

ISSN: 1466-8033

Año de publicación: 2014

Volumen: 16

Número: 44

Páginas: 10255-10261

Tipo: Artículo

DOI: 10.1039/C4CE01339E GOOGLE SCHOLAR

Proyectos relacionados

ESTUDIO ÓPTICO Y ELÉCTRICO DE DEFECTOS EN CÉLULAS SOLARES DE SILICIO MULTICRISTALINO Y SU RELACIÓN CON LA EFICIENCIA DE LAS MISMAS

2011/00185/001

Fuente de los datos: Scopus