Modeling and experimental characterization of stepped and v-shaped {311} defects in silicon

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 1089-7550,  0021-8979

Año de publicación: 2014

Volumen: 115

Número: 14

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.4871538 GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

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