Una extensión del modelo Ebers-Moll para el transistor bipolar en condiciones dinámicas

  1. Jaraiz, M.
  2. Pardo, D.
  3. Vicente, J.
  4. Rojo, B.
Llibre:
III Reunión Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF: comunicaciones, noviembre 1981

Editorial: Grupo Especializado de Electricidad y magnetismo de la RSEF

Any de publicació: 1981

Títol del volum: Electrónica

Volum: 2

Pàgines: 40-48

Congrés: Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF. Reunión (3. 1981. Vigo)

Tipus: Aportació congrés

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Resum

El modelo inicial de Ebers-Moll supone al transistor bipolar en condiciones estáticas. Con el fin de ampliar su validez al caso de condiciones dinámicas se suele añadir una serie de parámetros semiempíricos (resistencias y capacidades) que dan cuenta de determinados efectos no incluidos en el modelo inicial. Se propone aquí una extensión de dicho modelo inicial, basada en la solución analítica de la unión p-n en régimen dinámico.

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