Una extensión del modelo Ebers-Moll para el transistor bipolar en condiciones dinámicas
- Jaraiz, M.
- Pardo, D.
- Vicente, J.
- Rojo, B.
Argitaletxea: Grupo Especializado de Electricidad y magnetismo de la RSEF
Argitalpen urtea: 1981
Bolumenaren izenburua: Electrónica
Alea: 2
Orrialdeak: 40-48
Biltzarra: Grupo Especializado de Electricidad y Magnetismo de la RSEF. Reunión (3. 1981. Vigo)
Mota: Biltzar ekarpena
Laburpena
El modelo inicial de Ebers-Moll supone al transistor bipolar en condiciones estáticas. Con el fin de ampliar su validez al caso de condiciones dinámicas se suele añadir una serie de parámetros semiempíricos (resistencias y capacidades) que dan cuenta de determinados efectos no incluidos en el modelo inicial. Se propone aquí una extensión de dicho modelo inicial, basada en la solución analítica de la unión p-n en régimen dinámico.