Study of the set and reset transitions in HfO2-based ReRAM devices using a capacitor discharge
- García, H.
- Vinuesa, G.
- Ossorio, Ó.G.
- Sahelices, B.
- Castán, H.
- Dueñas, S.
- González, M.B.
- Campabadal, F.
Revista:
Solid-State Electronics
ISSN: 0038-1101
Any de publicació: 2021
Volum: 183
Tipus: Article