Electrical Characterization of Defects Created by γ-Radiation in HfO2-Based MIS Structures for RRAM Applications

  1. García, H.
  2. González, M.B.
  3. Mallol, M.M.
  4. Castán, H.
  5. Dueñas, S.
  6. Campabadal, F.
  7. Acero, M.C.
  8. Sambuco Salomone, L.
  9. Faigón, A.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Ano de publicación: 2018

Volume: 47

Número: 9

Páxinas: 5013-5018

Tipo: Achega congreso

DOI: 10.1007/S11664-018-6257-Y GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor
Fonte de datos: Scopus