Study of the admittance hysteresis cycles in TiN/Ti/HfO2/W-based RRAM devices

  1. Dueñas, S.
  2. Castán, H.
  3. García, H.
  4. Miranda, E.
  5. Gonzalez, M.B.
  6. Campabadal, F.
Revista:
Microelectronic Engineering

ISSN: 0167-9317

Año de publicación: 2017

Volumen: 178

Páginas: 30-33

Tipo: Artículo

DOI: 10.1016/J.MEE.2017.04.020 GOOGLE SCHOLAR
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