Atomistic model of transient enhanced diffusion and clustering of boron in silicon

  1. Pelaz, L.
  2. Gilmer, G.H.
  3. Jaraiz, M.
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  6. Eaglesham, D.J.
  7. Poate, J.M.
Actas:
Materials Research Society Symposium - Proceedings

ISSN: 0272-9172

Año de publicación: 1997

Volumen: 469

Páginas: 341-346

Tipo: Aportación congreso

DOI: 10.1557/PROC-469-341 GOOGLE SCHOLAR
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