Atomistic calculations of ion implantation in Si: Point defect and transient enhanced diffusion phenomena

  1. Jaraiz, M.
  2. Gilmer, G.H.
  3. Poate, J.M.
  4. De La Rubia, T.D.
Revista:
Applied Physics Letters

ISSN: 0003-6951

Ano de publicación: 1996

Volume: 68

Número: 3

Páxinas: 409-411

Tipo: Artigo

DOI: 10.1063/1.116701 GOOGLE SCHOLAR
Fonte de datos: Scopus