Temperature distribution in power GaAs field effect transistors using spatially resolved photoluminescence mapping

  1. Landesman, J.P.
  2. Martin, E.
  3. Braun, P.
Konferenzberichte:
Proceedings of the International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits, IPFA

Datum der Publikation: 1999

Seiten: 185-189

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1109/IPFA.1999.791331 GOOGLE SCHOLAR

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