Raman microstructural analysis of silicon-on-insulator formed by high dose oxygen ion implantation: As-implanted structures

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Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Año de publicación: 1997

Volumen: 82

Número: 8

Páginas: 3730-3735

Tipo: Artículo

DOI: 10.1063/1.365735 GOOGLE SCHOLAR
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