Fully porous GaN p-n junction diodes fabricated by chemical vapor deposition

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Revista:
ACS Applied Materials and Interfaces

ISSN: 1944-8252,  1944-8244

Año de publicación: 2014

Volumen: 6

Número: 20

Páginas: 17954-17964

Tipo: Artículo

DOI: 10.1021/AM504786B GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

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