W and X Photoluminescence Centers in Crystalline Si: Chasing Candidates at Atomic Level Through Multiscale Simulations

  1. Aboy, M.
  2. Santos, I.
  3. López, P.
  4. Marqués, L.A.
  5. Pelaz, L.
Revista:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Any de publicació: 2018

Volum: 47

Número: 9

Pàgines: 5045-5049

Tipus: Aportació congrés

DOI: 10.1007/S11664-018-6300-Z GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

Objetivos de desarrollo sostenible

Projectes relacionats

EXPLORACIÓN MEDIANTE MODELADO DE ESTRATEGIAS DE INGENIERÍA DE DEFECTOS EN ESTRUCTURAS SEMICONDUCTORAS

2014/00426/001

Font de les dades: Scopus