W and X Photoluminescence Centers in Crystalline Si: Chasing Candidates at Atomic Level Through Multiscale Simulations

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Zeitschrift:
Journal of Electronic Materials

ISSN: 0361-5235

Datum der Publikation: 2018

Ausgabe: 47

Nummer: 9

Seiten: 5045-5049

Art: Konferenz-Beitrag

DOI: 10.1007/S11664-018-6300-Z GOOGLE SCHOLAR lock_openUVADOC editor

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