GERMAN
DIAZ GONZALEZ
Investigador en el periodo 1989-2007
Tesis doctoral
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Propiedades eléctricas de láminas delgadas de CDTE producidas por pulverización RF 1979
Universidad Complutense de Madrid
Tesis dirigidas (7)
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Respuesta infrarroja en silicio mediante implantación iónica de metales en transición 2015
Universidad Complutense de Madrid
García Hemme, Eric
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Realización de transistores misfet sobre semiconductores compuestos del grupo III-V 2001
Universidad Complutense de Madrid
Redondo Romero, Estefanía
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Realización y caracterización de dispositivos de unión y de efecto de campo en in0.53ga0.47as 1999
Universidad Complutense de Madrid
BLANCO PESTAÑA, NIEVES
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Láminas delgadas de SiNx: H y SiOx depositadas mediante la técnica ECR-CVD para su aplicación en estructura MIS 1996
Universidad Complutense de Madrid
García Sánchez, Silvia
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Implantación iónica en InP para aplicaciones en dispositivos 1995
Universidad Complutense de Madrid
Martín, J. M.
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Dispositivos de heterounión basados en el semiconductor cuaternario cu (ga,in) se2 1994
Universidad Complutense de Madrid
HERNANDEZ FERNANDEZ DE ROJAS JOSE LUIS
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Heterouniones en película delgada de semiconductores compuestos producidos por pulverización rf 1988
Universidad Complutense de Madrid
Santamaría Sanchez-Barriga, Jacobo
Tribunales de tesis (45)
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Presidente del tribunal
Growth of high permittivity dielectrics by high pressure sputtering from metallic targets 2016Universidad Complutense de Madrid
PAMPILLON ARCE, Mª ANGELA
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Vocal del tribunal
Caracterización de defectos en materiales semiconductores. Aplicación al estudio de nuevos sustratos de silicio para células solares 2014Universidad de Valladolid
Pérez, Eduardo
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Presidente del tribunal
Dieléctricos de alta permitividad para próximas generaciones de circuitos integrados/s: High permitivity dielectrics for next generations of integrated circuit 2013Universidad Complutense de Madrid
FEIJOO GUERRO, PEDRO CARLOS
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Presidente del tribunal
Growth and characterization of high-k dielectrics for field effect devices 2008Universidad Complutense de Madrid
TOLEDANO LUQUE, MARIA
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Presidente del tribunal
Métodos químicos de limpieza e inhibición de codepositos en dispositivos de fusión 2008Universidad Complutense de Madrid
FERREIRA SOMOZA, JOSE ANTONIO
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Secretario del tribunal
Membranas electrolíticas de poro relleno para pilas de combustible poliméricas 2008Universidad Complutense de Madrid
Navarro Gilabert, Amparo
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Presidente del tribunal
Células solares basadas en aleaciones de silicio amorfo microcristalino 2007Universidad Complutense de Madrid
GANDÍA ALABAU, JOSÉ JAVIER
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Vocal del tribunal
Caracterización de dieléctricos de alta permitividad crecidos mediante ald, hprs y ecr-cvd 2006Universidad de Valladolid
García García, Héctor
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Vocal del tribunal
Caracterització elèctrica de dielèctrics de porta de dispositius MOS amb CAFM: SiO2 i dielèctrics dalta permitivitat 2006Universitat Autònoma de Barcelona
Blasco Jiménez, Xavier
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Presidente del tribunal
Estudio de la mejora frente a la corrosión en medio acuoso de materiales metálicos modificados superficialmente mediante implantación iónica 2005Universidad Complutense de Madrid
MARTÍNEZ ORELLANA, LIDIA
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Presidente del tribunal
Fabricación y caracterización de dieléctricos de alta permitividad para su aplicación como aislantes de puerta en dispositivos mis 2004Universidad Complutense de Madrid
SAN ANDRES SERRANO, ENRIQUE
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Presidente del tribunal
Caracterización cuantitativa de detectores luminiscentes para plasmas de fusión 2004Universidad Complutense de Madrid
Baciero Adrados, Alfonso
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Vocal del tribunal
Influencia del reciclaje de fotones en el funcionamiento y el diseño de las células solares de arseniuro de galio 2004Universidad Politécnica de Madrid
BALENZATEGUI MANZANARES, JOSE LORENZO
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Vocal del tribunal
Propiedades vibracionales en el sistema (in,ga)as 2003Universitat de Barcelona
HERNÁNDEZ MÁRQUEZ, SERGI
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Vocal del tribunal
Nanopartículas semiconductoras sintetizadas por implantación iónica. Aplicación en nanomemorias 2001Universitat de Barcelona
GONZÁLEZ VARONA, OLGA
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Secretario del tribunal
Estudio de la estabilidad térmica del a-SiNx: H producido mediante la técnica de plasma ECR-CVD 2000Universidad Complutense de Madrid
Martínez Viviente, Félix Lorenzo
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Vocal del tribunal
Desarrollo de fotodetectores bi-color de infrarrojos con pozos cuánticos de GaAs/AlGaAs 2000Universidad Politécnica de Madrid
Fernández González, Álvaro
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Vocal del tribunal
Simulacion bca de la implantacion ionica en materiales semiconductores: mejora de los modelos fisicos y del tiempo de calculo 2000Universidad de Valladolid
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Presidente del tribunal
Aportaciones a las técnicas de estabilización de diodos láser 1999Universidad Complutense de Madrid
RODRIGUEZ LLORENTE, FERNANDO
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Vocal del tribunal
SiOxNy crecidos por Sputtering reactivo 1999Universidad Autónoma de Madrid
Gutiérrez Llorente, Araceli
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Secretario del tribunal
Estudio de los fotovoltajes producidos por radiación infrarroja en uniones semiconductoras 1998Universidad Complutense de Madrid
LOPEZ SAENZ, MONICA
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Vocal del tribunal
Análisis del transporte de carga y de los fenómenos de ruido electrónico en estructuras si/si1-xgex bipolares 1997Universidad de Salamanca
MARTIN MARTINEZ M. JESUS
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Vocal del tribunal
Contribución al desarrollo de fotorreceptores de Ingaas y a la integración de estructuras metamórficas sobre sustratos de Gaas 1997Universidad Politécnica de Madrid
VALTUEÑA PABLO JUAN FRANCISCO
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Secretario del tribunal
Caracterización y optimización de amplificadores de microondas mediante la técnica de las funciones descriptivas 1996Universidad Complutense de Madrid
Muñoz San Martín, Sagrario
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Vocal del tribunal
Modelos de propagación de ondas electromagnéticas guiadas en zonas de transición entre dos dieléctricos 1996Universidad de Alcalá
CASTILLA GARCIA, PAULINO
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Vocal del tribunal
Estudio de aleaciones silicio-carbono depositadas mediante técnicas asistidas por plasma de resonancia ciclotron de electrones 1996Universidad Autónoma de Madrid
Gómez Arribas, Francisco Javier
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Vocal del tribunal
Desarrollo de una tecnología de dopaje tipo N en telururo de cadmio y mercurio (MCT) mediante técnicas de implantación ionica y tratamientos térmicos rápidos (RTA) 1995Universidad Politécnica de Madrid
LOPEZ RUBIO JOSE ANGEL
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Vocal del tribunal
La radiación en los dispositivos de semiconductores: generación y atrapamiento de portadores 1995Universidad Complutense de Madrid
BRU ESPINO, ANTONIO
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Vocal del tribunal
Preparación y caracterización del esquema de metalización al silicio TiSi2/TiN 1995Universidad Autónoma de Madrid
Pérez Rigueiro, José
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Vocal del tribunal
Analisis y diseño de dispositivos semiconductores de potencia en sic 1995Universidad de Valladolid
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Vocal del tribunal
Influencia de las variables cognitivas en la construcción de conocimientos en mecánica: un estudio empírico y un análisis computacional 1994UNED. Universidad Nacional de Educación a Distancia
Oliva Martínez, José María
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Secretario del tribunal
Estudio de fenómenos caóticos 1993Universidad Complutense de Madrid
RIO FERNANDEZ EZEQUIEL DEL
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Vocal del tribunal
Empleo del yoduro de mercurio como detector de radiación gamma 1993Universidad Complutense de Madrid
PEREZ MORALES , JOSE MANUEL
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Vocal del tribunal
Aplicación de la técnica ALMBE a los sistemas epitaxiales GAAS/N-ALGAAS, N-GAAS/INGAAS y ALAS/INAS/GAAS para dispositivos HEMT 1992Universidad Complutense de Madrid
Vázquez López, Manuel
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Vocal del tribunal
Analisis de la conductancia estimulada termicamente en una estructura mos: medida de la densidad de estados de interface generados por rie" 1991Universidad de Valladolid
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Secretario del tribunal
Preparación por descarga luminiscente y caracterización electroóptica de aleaciones de silicio amorfo para células solares 1991Universidad Complutense de Madrid
CÁRABE LÓPEZ, JULIO
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Secretario del tribunal
Caracterización de defectos en gap. Problemas de homogeneidad en obleas 1991Universidad Complutense de Madrid
DOMÍNGUEZ-ADAME ACOSTA, FRANCISCO
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Secretario del tribunal
Síntesis, caracterización y propiedades fisicoquímicas de óxidos mixtos a3 (1-x) a’xsb2xo6 (1 x 0,1). A=ti(iv),ge(iv) y a'=ni(ii),cu (II) 1991Universidad Complutense de Madrid
RAMOS JARA, ENRIQUE
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Vocal del tribunal
Propiedades ópticas y dispersión Raman en superredes gaas/alas, gaas/gap y alas/inas 1991Universidad Complutense de Madrid
RECIO SEGOVIANO, MIGUEL
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Vocal del tribunal
Estudio de técnicas de dopado mediante implantación iónica en compuestos II-VI 1991Universidad Politécnica de Madrid
CENTENO ARRIBAS JOSE MIGUEL
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Vocal del tribunal
Estudio de los efectos de dopaje de base en células solares de silicio. Contribución al diseño para distintos modos de iluminación 1990Universidad Politécnica de Madrid
CID SANCHEZ, MANUEL
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Secretario del tribunal
Métodos de caracterización espectral de la emisión de láseres de semiconductor 1990Universidad Complutense de Madrid
GARCIA VICENTE DE VERA ENRIQUE
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Secretario del tribunal
Análisis de señales ultrasónicas para la definición de entornos en el campo de la robótica 1990Universidad Complutense de Madrid
Martín Abreu, José Miguel
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Secretario del tribunal
Aplicación de teorías EEM para analizar el efecto de móviles sobre las áreas sensibles del ILS 1989Universidad Complutense de Madrid
SÁEZ NIETO, FRANCISCO JAVIER
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Secretario del tribunal
Características de diodos trapatt en banda s 1989Universidad Complutense de Madrid
NIETO ESTELLA, MARTA