Molecular models and activation energies for bonding rearrangement in plasma-deposited α-SiNx: H dielectric thin films treated by rapid thermal annealing

  1. Martínez, F.L.
  2. Del Prado, A.
  3. Mártil, I.
  4. González-Diaz, G.
Zeitschrift:
Physical Review B - Condensed Matter and Materials Physics

ISSN: 0163-1829

Datum der Publikation: 2001

Ausgabe: 63

Nummer: 24

Seiten: 2453201-2453211

Art: Artikel

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