Study of the electrical activation of Si+-implanted InGaAs by means of Raman scattering

  1. Hernández, S.
  2. Cuscó, R.
  3. Blanco, N.
  4. González-Díaz, G.
  5. Artús, L.
Revista:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Any de publicació: 2003

Volum: 93

Número: 5

Pàgines: 2659-2662

Tipus: Article

DOI: 10.1063/1.1542659 GOOGLE SCHOLAR
Font de les dades: Scopus