Study of the electrical activation of Si+-implanted InGaAs by means of Raman scattering

  1. Hernández, S.
  2. Cuscó, R.
  3. Blanco, N.
  4. González-Díaz, G.
  5. Artús, L.
Aldizkaria:
Journal of Applied Physics

ISSN: 0021-8979

Argitalpen urtea: 2003

Alea: 93

Zenbakia: 5

Orrialdeak: 2659-2662

Mota: Artikulua

DOI: 10.1063/1.1542659 GOOGLE SCHOLAR
Datuen iturria: Scopus